即使如此汽车布局高压电驱动 SiC功率器件获更多应用

24日，单纯轿车输出半导体研发及生产基地在苏州高新区月关机建设。该基地预计2023年月份关机样品试制，2024年月投产，终究超出240万只二氧化硅（SiC）半桥输出模块的年产能。这标志着单纯轿车月关机下一代高压电驱动关键技术的自主产业链布局。

之前金公司认为，高压快充关键技术具备充电补能工作效率、驱动效能等特别优势，国内宝钢正在加快布局，将促使诸多车载组件逐步升级。输出电子元件特别，当前400V轿车之前一般采用Si IGBT电子元件，而800V轿车则需升级至SiC MOSFET，可实现较高的输出密度，使电子元件新技术、轻量化。单车价值量则由分之一1500元增加至分之一4500元。

华润微（688396）技术之前湿气和技术高压MOSFET在5G通信、充电桩、工控（稀土）及新能源轿车领域实现规模化销售；

斯达半导（603290）握车规级SiC MOS模块订单，自建SiC集成电路产线提高自给率拓展成长三维空间。

来源:金融界